- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPB110P06LM
IPB110P06LM دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB110P06LM |
|---|---|
| حجم فایل | 47.438 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت IPB110P06LM |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB110P06LM
- Power Dissipation (Pd): 300W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@5.55mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,100A
- Package: TO-263-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
